660nm 50mW Laser Diode, 激光二极管, 可60°C高温操作
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ADL-66505TM

ADL-66505TM

660nm 50mW Laser Diode/ 激光二极管

特色

  1. 660nm 50mW激光二极管于60°C 温度中,功率稳定度高
  2. 组成模组可节省空间与成本
  3. 电压驱动LD,简易便利
  4. 高度稳定的激光输出功率
  5. 反向偏置防护
  6. 高ESD可持续性电压
  7. 短路保护
  8. 电源反接保护

应用

  1. 激光量测工具/ 激光水平测量仪/ 激光测距仪
  2. 照明/激光简报笔
  3. 感测器/ 传感器/ PM 2.5侦测器
  4. 医美医疗仪器/ 激光健发帽/ 激光健发梳

下載PDF

Absolute maximum ratings

Parameter Symbol Condition Rating Unit
Light output power Po - 50 mW
Case temperature Tc - -10~+60 °C
Storage temperature Ts - -40~+85 °C

Electrical and optical characteristics (Tc=25∘C)

Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit Conditions
Peak wavelength λ 653 660 667 nm Po=50mW,Vcc=3V
Operation current Iop - 93 120 mA Po=50mW,Vcc=3V
Parallel divergence angle θ// 6 9 13 deg. Po=50mW,Vcc=3V
Perpendicular divergence angle θ 13 17 22 deg. Po=50mW,Vcc=3V
Parallel FFP deviation angle Δθ// -3.0 0 +3.0 deg. Po=50mW,Vcc=3V
Perpendicular FFP deviation angle Δθ⊥ -3.0 0 +3.0 deg. Po=50mW,Vcc=3V
Emission point accuracy ΔxΔyΔz -80 0 +80 um Po=50mW,Vcc=3V

* Effective heat sink is recommended on 6V case due to extra heat