Arima EEL紅外光APC雷射模組可以投射出隨機的光點,與使用VCSEL時普通週期性的陣列式偽隨機光點不同。 在3D感測應用中,它可以獲得更高的精準度和且更少的雜訊干擾。 第一代(G1)的模組應用於3D感測產品中成效甚佳,其性能超越了使用VCSEL的光源模組。
近期則推出第二代(G2)φ6.5mm雷射模組,其由TO56 830nm / 850nm / 940nm雷射光源與具有準直功能的光學元件(DOE)所組成。 原創的光學設計使零級衍射光點完全消失並提高了安全性。而雷射模組的光輸出功率高達160mW,且隨機光點超過30,000個,視場角為(H)70°×(V)55°。
此外,華信光電也開發了表面貼焊技術(SMT)。 如此可以大大減少封裝後的產品體積。並可應用於回流焊接工藝。 第一代(G1)SMD型紅外雷射模組預計將於2020年第四季度推出。華信光電同時提供TO或SMD封裝雷射二極體。 如果對其他規格有特殊要求的客戶,華信光電也能提供定制服務。
1.高輸出光功率:
目前單模 (single-mode)的模式下VCSEL的可達功率約為4〜5mW,多模(multimode)的模式下則約為8〜9mW。提高功率的常用方法則是將它們排列成陣列。 但是,考量芯片設計和尺寸,此方式可以增加的功率仍然非常有限。相比之下,EEL只需要單個芯片即可達成高功率的需求。
2.高插座效率(wall-plug efficiency)(WPE):
VCSEL的WPE約為35%,EEL約為45%。 在低功率下使用時,EEL和VCSEL之間的WPE差異可能不會那麼明顯。但是,當以較高功率使用時,低WPE意味著VCSEL將消耗更多的能量並產生更多的熱能。這將導致各種不良的影響
3.散熱性佳:
雷射光源的穩定性和可靠度與溫度密切相關。高溫會造成許多負面影響,例如:波長偏移、WPE減少以及使用壽期縮短。 由於VCSEL的結構,產生光和熱的P側不能直接接觸散熱器,且熱量容易積聚。特別是在高輸出功率狀態下,負面影響將更加明顯。另一方面,EEL可以使P側和散熱器直接粘合,因此雷射芯片的散熱能力和溫度均勻性遠優於VCSEL。
基於以上內容,可以發現,在低功率使用時,VCSEL確實是3D感測雷射光源的最合理選擇,因為幾乎不需要考慮散熱和效率。 但是,隨著功率需求的增加,這些負面影響將逐漸增加。 相反,在低功率下,EEL的性價比低於VCSEL。然而在大功率領域,EEL的表現將比VCSEL更具潛力。